MJD253-001中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V
额定功率Max 1.4 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJD253-001引脚图与封装图
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在线购买MJD253-001
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD253-001 | ON Semiconductor 安森美 | IPAK PNP 100V 4A | 搜索库存 |
替代型号MJD253-001
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD253-001 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： IPAK PNP -100V -4A | 当前型号 | IPAK PNP 100V 4A | 当前型号 |
| 型号： MJD253-1G 品牌： 安森美 封装： IPAK-4 PNP -100V -4A 1400mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MJD253-1G 功率晶体管, PNP, -100V, D-PAK | MJD253-001和MJD253-1G的区别 |