MT46V64M8BN-5B:F
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT46V64M8BN-5B:F中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 2.60 V, 2.70 V max
工作电压 2.50 V
时钟频率 200MHz max
位数 8
存取时间 5.00 ns
内存容量 512000000 B
存取时间Max 0.7 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 2.5V ~ 2.7V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 60
封装 FBGA-60
外形尺寸
封装 FBGA-60
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MT46V64M8BN-5B:F引脚图与封装图 
MT46V64M8BN-5B:F引脚图
MT46V64M8BN-5B:F封装焊盘图
在线购买MT46V64M8BN-5B:F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT46V64M8BN-5B:F | Micron 镁光 | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 | 搜索库存 |
替代型号MT46V64M8BN-5B:F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT46V64M8BN-5B:F 品牌： Micron 镁光 封装： 60-TFBGA 512000000B 2.6V 5ns | 当前型号 | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 | 当前型号 |
| 型号： MT46V64M8CY-5B:J 品牌： 镁光 封装： FBGA | 类似代替 | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 | MT46V64M8BN-5B:F和MT46V64M8CY-5B:J的区别 |