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CY7C1270XV18-600BZXC、CY7C1270XV18-633BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1270XV18-600BZXC CY7C1270XV18-633BZXC

描述 36兆位的DDR II的Xtreme SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)36兆位的DDR II的Xtreme SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165

封装 LBGA-165 FBGA-165

位数 - 36

存取时间(Max) - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 50 ns -

封装 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅