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CY7C1270XV18-633BZXC

CY7C1270XV18-633BZXC

数据手册.pdf

36兆位的DDR II的Xtreme SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb(1M x 36) 并联 633 MHz 165-FBGA(13x15)


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IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


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CY7C1270XV18-633BZXC


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1270XV18-633BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CY7C1270XV18-633BZXC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1270XV18-633BZXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1270XV18-633BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36兆位的DDR II的Xtreme SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency 搜索库存
替代型号CY7C1270XV18-633BZXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1270XV18-633BZXC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

36兆位的DDR II的Xtreme SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

当前型号

型号: CY7C1270XV18-600BZXC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA-165

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