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BAS21SLT1、BAS21SLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS21SLT1 BAS21SLT1G

描述 双系列高压开关二极管 Dual Series High Voltage Switching DiodeON SEMICONDUCTOR  BAS21SLT1G.  小信号二极管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3

电容 5.00 pF 5.00 pF

正向电压 1.25V @200mA 1.25V @200mA

耗散功率 225 mW 225 mW

反向恢复时间 50 ns 50 ns

正向电压(Max) 1.25V @200mA 1.25 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

额定电流 - 225 mA

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

正向电流 - 225 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 625 mA

正向电流(Max) - 225 mA

工作结温(Max) - 150 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

长度 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99