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BAS21SLT1G

BAS21SLT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BAS21SLT1G.  小信号二极管

小信号开关,

### 标准

带 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23


立创商城:
250V 225mA 50ns 250 V 高压开关二极管,双,串联


欧时:
SS SOT23 SWCH DIO 250V TR


e络盟:
二极管 小信号, 开关, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA


艾睿:
Rectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.225A 50ns 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
DIODE SWITCH DUAL 250V SOT23 PKG


安富利:
Diode Small Signal Switching 250V 0.225A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Diode Small Signal Switching 250V 0.225A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Rectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.225A 50ns 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BAS21SLT1G  Small Signal Diode, Switching, Single, 250 V, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA


罗切斯特:
Diode Small Signal Switching 250V 0.225A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT23


BAS21SLT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电流 225 mA

电容 5.00 pF

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

正向电压 1.25V @200mA

耗散功率 225 mW

反向恢复时间 50 ns

正向电流 225 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 625 mA

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 225 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BAS21SLT1G引脚图与封装图
BAS21SLT1G引脚图

BAS21SLT1G引脚图

BAS21SLT1G封装焊盘图

BAS21SLT1G封装焊盘图

在线购买BAS21SLT1G
型号 制造商 描述 购买
BAS21SLT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BAS21SLT1G.  小信号二极管 搜索库存
替代型号BAS21SLT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BAS21SLT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 225mA 3Pin

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BAS21SLT1G.  小信号二极管

当前型号

型号: BAS21SLT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23

类似代替

双系列高压开关二极管 Dual Series High Voltage Switching Diode

BAS21SLT1G和BAS21SLT1的区别

型号: BAV23S,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB 3Pin

功能相似

NXP  BAV23S,215  二极管 小信号, 双系列, 250 V, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A

BAS21SLT1G和BAV23S,215的区别

型号: BAV23S

品牌: 恩智浦

封装: SOT23

功能相似

NXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

BAS21SLT1G和BAV23S的区别