SI1300BDL-T1-E3、SI1308EDL-T1-GE3对比区别
型号 SI1300BDL-T1-E3 SI1308EDL-T1-GE3
描述 VISHAY SI1300BDL-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 20 V, 0.65 ohm, 4.5 V, 1 VVISHAY SI1308EDL-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.11 ohm, 10 V, 600 mV
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SC-70 SOT-323-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.65 Ω 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 200 mW 500 mW
阈值电压 1 V 600 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 320 mA -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
输入电容(Ciss) - 105pF @15V(Vds)
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 0.4 W
封装 SC-70 SOT-323-3
长度 - 2.2 mm
宽度 - 1.35 mm
高度 - 1 mm
产品生命周期 Unknown -
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
工作温度 - -50℃ ~ 150℃