SI1308EDL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 105pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI1308EDL-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI1308EDL-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI1308EDL-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.11 ohm, 10 V, 600 mV | 搜索库存 |
替代型号SI1308EDL-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1308EDL-T1-GE3 品牌： VISHAY 威世 封装： SOT-323 N-Channel 30V 1.5A 132mΩ 0.6Vto1.5V | 当前型号 | N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： SI1304BDL-T1-E3 品牌： 威世 封装： SC-70 N-Channel 30V 900mA | 功能相似 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | SI1308EDL-T1-GE3和SI1304BDL-T1-E3的区别 |