SI1300BDL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.65 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 320 mA
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70
外形尺寸
封装 SC-70
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI1300BDL-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI1300BDL-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1300BDL-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI1300BDL-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 20 V, 0.65 ohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号SI1300BDL-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1300BDL-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SC-70 N-Channel 20V 320mA | 当前型号 | VISHAY SI1300BDL-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 20 V, 0.65 ohm, 4.5 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： SI1308EDL-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOT-323-3 N-Channel | 功能相似 | VISHAY SI1308EDL-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.11 ohm, 10 V, 600 mV | SI1300BDL-T1-E3和SI1308EDL-T1-GE3的区别 |