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PDTB113ZT,215、BZX84-C3V9,215、PDTB113ZT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTB113ZT,215 BZX84-C3V9,215 PDTB113ZT

描述 NXP  PDTB113ZT,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFENXP  BZX84-C3V9,215  单管二极管 齐纳, 3.9 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °CNXP  PDTB113ZT  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 3 3 3

极性 PNP - PNP

耗散功率 250 mW 250 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - 50 V

集电极最大允许电流 500mA - 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 70 @50mA, 5V - 70

直流电流增益(hFE) 70 - 70

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

容差 - ±5 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 3.9 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

耗散功率(Max) - 250 mW -

精度 - ±5 % -

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 - -2.5 mV/K -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17