PDTB113ZT,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTB113ZT,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTB113ZT,215引脚图与封装图
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在线购买PDTB113ZT,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTB113ZT,215 | NXP 恩智浦 | NXP PDTB113ZT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTB113ZT,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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