PDTB113ZT
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTB113ZT中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTB113ZT引脚图与封装图 
PDTB113ZT引脚图
PDTB113ZT封装图
PDTB113ZT封装焊盘图
在线购买PDTB113ZT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTB113ZT | NXP 恩智浦 | NXP PDTB113ZT 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTB113ZT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTB113ZT 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 250mW | 当前型号 | NXP PDTB113ZT 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE | 当前型号 |
| 型号： PDTB113ZT,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia PDTB113ZT,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | PDTB113ZT和PDTB113ZT,215的区别 |
| 型号： PDTB113ET,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 PNP 250mW | 功能相似 | TO-236AB PNP 50V 500mA | PDTB113ZT和PDTB113ET,215的区别 |