FQD20N06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD20N06中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 16.8A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DPAK
外形尺寸
封装 DPAK
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
FQD20N06引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQD20N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD20N06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DPAK N-Channel 60V 16.8A | 当前型号 | MOS场效应管/FQD20N06 | 当前型号 |
| 型号： FQD20N06TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 16.8A 63mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD20N06TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V | FQD20N06和FQD20N06TM的区别 |
| 型号： FQD20N06TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 16.8A 63mohms | 功能相似 | N沟道 60V 16.8A | FQD20N06和FQD20N06TF的区别 |