NE5532DR、TLE2024BMDWG4、MC33172DR2G对比区别

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型号 NE5532DR TLE2024BMDWG4 MC33172DR2G

描述 Texas Instruments精密放大器 Hi-Spd Lo-Power Precision Quad OpAmpMC33171/2/4，MCV33172，低功率，单电源 3 V 至 44 V，运算放大器，ON SemiconductorMC33171（单路），MC33172（双路），MC33174（四路） 低电源电流：每个放大器 180 μA 宽带宽：1.8 MHz 高转换速率：2.1 V/μs 低输入偏置电压：2 mV NCV33172 适用于汽车应用；符合 AEC-Q100 ### 运算放大器，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 16 8

封装 SOIC-8 SOIC-16 SOIC-8

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - ≤40 mA 5 mA

供电电流 8 mA 1.05 mA 220 µA

电路数 2 4 2

通道数 2 4 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 70dB ~ 100dB 85 dB 90 dB

带宽 10 MHz - 1.8 MHz

转换速率 9.00 V/μs 500 mV/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 10 MHz 1.7 MHz 1.8 MHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 2 mV

输入偏置电流 200 nA 40 nA 20 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -55 ℃ -40 ℃

增益带宽 10 MHz 2.8 MHz 1.8 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 85 dB 80 dB

电源电压 - - 3V ~ 44V

电源电压(Max) 30 V 40 V 44 V

电源电压(Min) 10 V 4 V 3 V

耗散功率 - 1025 mW -

输入补偿漂移 0.00 V/K 2.00 µV/K -

耗散功率(Max) - 1025 mW -

电源电压(DC) 18.0 V - -

工作电压 5V ~ 15V - -

长度 4.9 mm 10.28 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 7.52 mm 4 mm

高度 1.58 mm 2.35 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-16 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 NLR - -