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HMC415LP3E、HMC415LP3ETR、AM2-8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HMC415LP3E HMC415LP3ETR AM2-8

描述 ANALOG DEVICES  HMC415LP3E  芯片, INGAP HBT功率放大器, SMT 4.9 - 5.9 GHZRF Amp Single Power Amp 5.9GHz 5V 16Pin QFN EP T/RIC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,GAAS,FP,8PIN,CERAMIC

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TE Connectivity (泰科)

分类 放大器IC与RF模块放大器IC与RF模块

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 16 16 -

封装 QFN-16 QFN-16 -

频率 4.9GHz ~ 5.9GHz 4.9GHz ~ 5.9GHz -

供电电流 285 mA 285 mA -

通道数 1 1 -

耗散功率 1105 mW 1105 mW -

增益 19 dB 20 dB -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 1105 mW 1105 mW -

电源电压 3 V 3 V -

电源电压(DC) 3.00V (max) - -

针脚数 16 - -

输出功率 23 dBm - -

电源电压(Max) 3 V - -

封装 QFN-16 QFN-16 -

长度 3.1 mm - -

宽度 3.1 mm - -

高度 1 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Each Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -