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HMC415LP3E

HMC415LP3E

数据手册.pdf
ADI 亚德诺 主动器件

ANALOG DEVICES  HMC415LP3E  芯片, INGAP HBT功率放大器, SMT 4.9 - 5.9 GHZ

射频放大器,Analog Devices Hittite

Analog Devices Hittite 具有一系列射频放大器,它们具有各种功能。 一些具有低噪声放大器,一些射频放大器可与共振器、负电阻设备、变容二极管和缓冲器放大器集成,而另外一些可提供高效率 GaAs InGaP 异质结双极性晶体管 HBT MMIC 驱动器放大器。

### 射频 RF 放大器,Analog Devices


得捷:
IC AMP HIPERLAN 4.9-5.9GHZ 16QFN


立创商城:
HMC415LP3E


欧时:
Analog Devices Hittite 系列 功率 RF 放大器 HMC415LP3E, 20.5 dB功率增益, 最高5.9 GHz, 16引脚 QFN封装


e络盟:
芯片, INGAP HBT功率放大器, SMT 4.9 - 5.9 GHZ


艾睿:
RF Amp Single Power Amp 5.9GHz 5V 16-Pin LFCSP EP Cut Tape


安富利:
RF Amp Chip Single Power Amplifier 5900MHz 5V 16-Pin QFN Bulk


Verical:
RF Amp Single Power Amp 5.9GHz 5V 16-Pin LFCSP EP Cut Tape


Newark:
# ANALOG DEVICES  HMC415LP3E  RF Amplifier IC, 19 dB Gain / 6 dB Noise, 4.9 GHz to 5.9 GHz, 3 V, QFN-16


DeviceMart:
IC PWR AMP 5-6GHZ 16-QFN


HMC415LP3E中文资料参数规格
技术参数

频率 4.9GHz ~ 5.9GHz

电源电压DC 3.00V max

供电电流 285 mA

通道数 1

针脚数 16

耗散功率 1105 mW

输出功率 23 dBm

增益 19 dB

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1105 mW

电源电压 3 V

电源电压Max 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 QFN-16

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 1 mm

封装 QFN-16

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Aerospace and Defense, Radar

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

HMC415LP3E引脚图与封装图
HMC415LP3E引脚图

HMC415LP3E引脚图

HMC415LP3E封装图

HMC415LP3E封装图

HMC415LP3E电路图

HMC415LP3E电路图

HMC415LP3E封装焊盘图

HMC415LP3E封装焊盘图

在线购买HMC415LP3E
型号 制造商 描述 购买
HMC415LP3E ADI 亚德诺 ANALOG DEVICES  HMC415LP3E  芯片, INGAP HBT功率放大器, SMT 4.9 - 5.9 GHZ 搜索库存
替代型号HMC415LP3E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: HMC415LP3E

品牌: ADI 亚德诺

封装: QFN 3V 19dB 16Pin

当前型号

ANALOG DEVICES  HMC415LP3E  芯片, INGAP HBT功率放大器, SMT 4.9 - 5.9 GHZ

当前型号

型号: HMC415LP3ETR

品牌: 亚德诺

封装: QFN-16 16Pin

类似代替

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封装:

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封装:

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