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BCR112E6327HTSA1、MMUN2232LT1G、DTC143EKAT146对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR112E6327HTSA1 MMUN2232LT1G DTC143EKAT146

描述 Infineon BCR112E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  MMUN2232LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23ROHM  DTC143EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

额定功率 - - 0.2 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.2 W 400 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 20 @5mA, 5V 15 @5mA, 10V 30 @10mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 246 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) 20 - 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 140 MHz - 250 MHz

耗散功率(Max) 200 mW 400 mW 200 mW

针脚数 3 - -

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.6 mm

高度 1 mm 0.94 mm 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR