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BCR112E6327HTSA1

BCR112E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCR112E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装

双电阻器数字，

Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3


欧时:
Infineon BCR112E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 200 mW, 100 mA, 20 hFE


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  BCR112E6327HTSA1  DIGITAL TRANS, 50V, 4.7K/4.7K, SOT-23-3


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3


BCR112E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 140 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR112E6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BCR112E6327HTSA1
型号 制造商 描述 购买
BCR112E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BCR112E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存
替代型号BCR112E6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BCR112E6327HTSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 200mW

当前型号

Infineon BCR112E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装

当前型号

型号： MMUN2232LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2232LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

BCR112E6327HTSA1和MMUN2232LT1G的区别

型号： DTC143EKAT146

品牌： 罗姆半导体

封装： SOT-346 NPN 50V 100mA 200mW

功能相似

ROHM  DTC143EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE

BCR112E6327HTSA1和DTC143EKAT146的区别