SI9435BDY-T1-E3、SI9435BDY-T1-GE3、IRF9333PBF对比区别

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型号 SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-GE3 IRF9333PBF

描述 VISHAY  SI9435BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOICVISHAY  SI9435BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3WINFINEON  IRF9333PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.07 Ω 0.033 Ω 0.0156 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.5 W 1.3 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) -5.70 A -4.10 A 9.2A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - - 2.5 W

阈值电压 - - 1.8 V

输入电容(Ciss) - - 1110pF @25V(Vds)

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)

上升时间 14 ns - -

下降时间 30 ns - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.98 mm

宽度 - - 3.99 mm

高度 1.55 mm - 1.57 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

产品生命周期 - - Not Recommended for New Designs

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -