SI9435BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -4.10 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI9435BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9435BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI9435BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W | 搜索库存 |
替代型号SI9435BDY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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