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ARF463AG、ARF463AP1G、ARF463BP1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ARF463AG ARF463AP1G ARF463BP1G

描述 Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin(3+Tab) TO-247Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin(3+Tab) TO-247Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

频率 81.36 MHz 81.36 MHz 81.36 MHz

额定电流 9 A - 9 A

耗散功率 180000 mW 180000 mW 180000 mW

上升时间 4.1 ns 4.3 ns 4.3 ns

输出功率 100 W 100 W 100 W

增益 15 dB 15 dB 15 dB

输入电容(Ciss) 1200pF @50V(Vds) 670pF @50V(Vds) 670pF @50V(Vds)

下降时间 4 ns 4.2 ns 4.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 180000 mW 180000 mW 180000 mW

额定电压 500 V 500 V 500 V

漏源极电压(Vds) 500 V - -

漏源击穿电压 500V (min) - -

测试电流 50 mA - -

输出功率(Max) - 100 W -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99