ARF463AG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
ARF463AG中文资料参数规格
技术参数
频率 81.36 MHz
额定电流 9 A
耗散功率 180000 mW
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500V min
上升时间 4.1 ns
输出功率 100 W
增益 15 dB
测试电流 50 mA
输入电容Ciss 1200pF @50VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180000 mW
额定电压 500 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
ARF463AG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ARF463AG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ARF463AG | Microsemi 美高森美 | Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号ARF463AG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ARF463AG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247-3 180000mW | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： ARF463AP1G 品牌： 美高森美 封装： TO-247-3 180000mW | 类似代替 | Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247 | ARF463AG和ARF463AP1G的区别 |
| 型号： ARF463BP1G 品牌： 美高森美 封装： TO-247-3 180000mW | 类似代替 | Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247 | ARF463AG和ARF463BP1G的区别 |