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ARF463AP1G

ARF463AP1G

数据手册.pdf

Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247

This RF amplifier from is a semiconductor-based transistor that amplifies or switches electronic signals and electrical power in a circuit. Its maximum power dissipation is 180000 mW. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. Its maximum frequency is 100 MHz. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

ARF463AP1G中文资料参数规格
技术参数

频率 81.36 MHz

耗散功率 180000 mW

上升时间 4.3 ns

输出功率 100 W

增益 15 dB

输入电容Ciss 670pF @50VVds

输出功率Max 100 W

下降时间 4.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180000 mW

额定电压 500 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ARF463AP1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ARF463AP1G Microsemi 美高森美 Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247 搜索库存
替代型号ARF463AP1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ARF463AP1G

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-247-3 180000mW

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247

当前型号

型号: ARF463BP1G

品牌: 美高森美

封装: TO-247-3 180000mW

完全替代

Trans RF MOSFET N-CH 500V 9A 3Pin3+Tab TO-247

ARF463AP1G和ARF463BP1G的区别

型号: ARF463AG

品牌: 美高森美

封装: TO-247-3 180000mW

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