FQD5N20LTM、MTD4N20E、STD5N20LT4对比区别

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型号 FQD5N20LTM MTD4N20E STD5N20LT4

描述 Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.25Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.2ΩSTMICROELECTRONICS  STD5N20LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Motorola (摩托罗拉) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 TO-252-3 - TO-252-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 3.80 A - 5.00 A

漏源极电阻 1.20 Ω - 0.65 Ω

极性 N-Channel - N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.5 W - 33 W

漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V

漏源击穿电压 200 V - 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.80 A - 5.00 A

上升时间 90 ns - 21.5 ns

输入电容(Ciss) 325pF @25V(Vds) - 242pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 33 W

下降时间 50 ns - 15.5 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 37W (Tc) - 33W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 2.5 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-252-3 - TO-252-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -