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STD5N20LT4

STD5N20LT4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD5N20LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK


立创商城:
N沟道 200V 5A


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD5N20LT4, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 200 Volt 5 Amp


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STD5N20LT4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 33000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with stripfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 200 V 0.7 Ω Surface Mount STripFET Power Mosfet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD5N20LT4  MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V


力源芯城:
200V,0.65Ω,5A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK


STD5N20LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 5.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.65 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 33 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 21.5 ns

输入电容Ciss 242pF @25VVds

额定功率Max 33 W

下降时间 15.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, 照明, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD5N20LT4引脚图与封装图
STD5N20LT4引脚图

STD5N20LT4引脚图

STD5N20LT4封装图

STD5N20LT4封装图

STD5N20LT4封装焊盘图

STD5N20LT4封装焊盘图

在线购买STD5N20LT4
型号 制造商 描述 购买
STD5N20LT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD5N20LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号STD5N20LT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD5N20LT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 200V 5A 650mohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD5N20LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V

当前型号

型号: STD5N20T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 200V 5A 700mohms

类似代替

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STD5N20LT4和STD5N20T4的区别

型号: FQD5N20LTM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 200V 3.8A 1.2ohms

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 3.8A ID, 200V, 1.25Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

STD5N20LT4和FQD5N20LTM的区别

型号: IRFR220NTRPBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 200V 5A

功能相似

200V,5A,N沟道功率MOSFET

STD5N20LT4和IRFR220NTRPBF的区别