FQD5N20LTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD5N20LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 3.80 A
漏源极电阻 1.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.80 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 325pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 50 ns
耗散功率Max 2.5W Ta, 37W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD5N20LTM引脚图与封装图
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在线购买FQD5N20LTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD5N20LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A ID, 200V, 1.25Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 搜索库存 |
替代型号FQD5N20LTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD5N20LTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 200V 3.8A 1.2ohms | 当前型号 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A ID, 200V, 1.25Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 当前型号 |
| 型号： STD5N20LT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 200V 5A 650mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD5N20LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V | FQD5N20LTM和STD5N20LT4的区别 |
| 型号： MTD4N20E 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 200 VOLTS RDSon = 1.2Ω | FQD5N20LTM和MTD4N20E的区别 |