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TPS2832D、TPS2832DR、TPS2832DG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS2832D TPS2832DR TPS2832DG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TPS2832D.  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-15V电源, 2.4A输出, 75ns延迟, SOIC-8具有 CMOS 输入、用于同相同步降压的 2.4A、28V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125MOSFET DRVR 3.5A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC Tube

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.50V (min) - -

上升/下降时间 50 ns 50 ns 50 ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 11.5 V - -

输出电流 2.40 A - -

针脚数 8 - -

耗散功率 600 mW 0.6 W 0.6 W

上升时间 60 ns 60 ns 60 ns

下降时间 60 ns 60 ns 60 ns

下降时间(Max) 60 ns 60 ns 60 ns

上升时间(Max) 60 ns 60 ns 60 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 600 mW 600 mW 600 mW

电源电压 4.5V ~ 15V 4.5V ~ 15V 4.5V ~ 15V

电源电压(Max) 15 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V

供电电流 - - 3 mA

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -