TPS2832DG4
TI
德州仪器
主动器件
TPS2832DG4中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 50 ns
输出接口数 2
供电电流 3 mA
耗散功率 0.6 W
上升时间 60 ns
下降时间 60 ns
下降时间Max 60 ns
上升时间Max 60 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 600 mW
电源电压 4.5V ~ 15V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TPS2832DG4引脚图与封装图 
TPS2832DG4引脚图
TPS2832DG4封装图
TPS2832DG4封装焊盘图
在线购买TPS2832DG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TPS2832DG4 | TI 德州仪器 | MOSFET DRVR 3.5A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC Tube | 搜索库存 |
替代型号TPS2832DG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TPS2832DG4 品牌： TI 德州仪器 封装： Surface 8Pin | 当前型号 | MOSFET DRVR 3.5A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC Tube | 当前型号 |
| 型号： TPS2832DR 品牌： 德州仪器 封装： Surface 8Pin | 完全替代 | 具有 CMOS 输入、用于同相同步降压的 2.4A、28V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125 | TPS2832DG4和TPS2832DR的区别 |
| 型号： TPS2832D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 4.5V 2.4A 8Pin | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS TPS2832D. 双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-15V电源, 2.4A输出, 75ns延迟, SOIC-8 | TPS2832DG4和TPS2832D的区别 |