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STW13N95K3

STW13N95K3

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 950V 10A Tc 190W Tc Through Hole TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3


欧时:
### N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STW13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW13N95K3  MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
950V,10A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 950V 10A 190W TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 950V 10A TO-247


STW13N95K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.68 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 950 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1620pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STW13N95K3引脚图与封装图
STW13N95K3引脚图

STW13N95K3引脚图

STW13N95K3封装焊盘图

STW13N95K3封装焊盘图

在线购买STW13N95K3
型号 制造商 描述 购买
STW13N95K3 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STW13N95K3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW13N95K3

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 950V 10A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

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封装: TO-247 N-Channel 950V 17.5A

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