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BF840,215、MMBT3416LT3G、BF840,235对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF840,215 MMBT3416LT3G BF840,235

描述 NXP  BF840,215  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 380 MHz, 250 mW, 25 mA, 67 hFENPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管TO-236AB NPN 40V 0.025A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 380 MHz 75 MHz -

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 100 mA -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 mW 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.025A 0.1A 0.025A

最小电流放大倍数(hFE) 67 @1mA, 10V 75 @2mA, 4.5V 67 @1mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 225 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 67 75 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 2.64 mm -

高度 - 1.11 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -