锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMBT3416LT3G

MMBT3416LT3G

数据手册.pdf

NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3


立创商城:
MMBT3416LT3G


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 225 mW, 100 mA, 75 hFE


艾睿:
ON Semiconductor has the solution to your circuit&s;s high-voltage requirements with their NPN MMBT3416LT3G general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 4 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 4 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi MMBT3416LT3G NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 40 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3


MMBT3416LT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 75 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 75 @2mA, 4.5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 75

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT3416LT3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBT3416LT3G
型号 制造商 描述 购买
MMBT3416LT3G ON Semiconductor 安森美 NPN 晶体管,ON Semiconductor 这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 搜索库存
替代型号MMBT3416LT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT3416LT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 25V 100mA 300mW

当前型号

NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

当前型号

型号: MMBT3416LT3

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 25V 100mA

完全替代

通用放大器( NPN硅) General Purpose AmplifierNPN Silicon

MMBT3416LT3G和MMBT3416LT3的区别

型号: BF840@215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN

类似代替

BF840@215

MMBT3416LT3G和BF840@215的区别

型号: BF840,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 0.25W

功能相似

NXP  BF840,215  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 380 MHz, 250 mW, 25 mA, 67 hFE

MMBT3416LT3G和BF840,215的区别