BSH103、MMBF0201NLT1、BSH103,235对比区别
型号 BSH103 MMBF0201NLT1 BSH103,235
描述 BSH103 N沟道MOSFET 30V 850mA/0.85A SOT-23/SC-59 marking/标记 J3 低噪声增益控制放大器功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 VoltsTrans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3Pin TO-236AB T/R
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3
通道数 - - 1
耗散功率 750 mW 225 mW 540mW (Ta)
阈值电压 - - 400 mV
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V
上升时间 - 2.5 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) - 45pF @5V(Vds) 83pF @24V(Vds)
下降时间 - 2.5 ns 7 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 225mW (Ta) 540mW (Ta)
极性 N-Channel N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 850 mA 300 mA -
额定电压(DC) - 20.0 V -
额定电流 - 300 mA -
漏源极电阻 - 1.00 Ω -
漏源击穿电压 - 62.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
宽度 - 1.3 mm 1.4 mm
封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 2.9 mm -
高度 - 0.94 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -