BSH103,235
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSH103,235中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 540mW Ta
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 83pF @24VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
宽度 1.4 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSH103,235引脚图与封装图
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在线购买BSH103,235
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSH103,235 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3Pin TO-236AB T/R | 搜索库存 |
替代型号BSH103,235
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSH103,235 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT23 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3Pin TO-236AB T/R | 当前型号 |
| 型号： BSH103,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB N-Channel 30V 850mA | 类似代替 | NXP BSH103,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mV | BSH103,235和BSH103,215的区别 |
| 型号： MMBF0201NLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 20V 300mA 1ohms 45pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBF0201NLT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V | BSH103,235和MMBF0201NLT1G的区别 |