LM5113SDE/NOPB、LM5113TMX/NOPB、LM5113SDX/NOPB对比区别

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型号 LM5113SDE/NOPB LM5113TMX/NOPB LM5113SDX/NOPB

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM5113SDE/NOPB  驱动器, MOSFET, 半桥, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10LM5113 5A ， 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETsLM5113 5A ， 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 12 10

封装 WDFN-10 DSBGA-12 WSON-10

上升/下降时间 7ns, 1.5ns 7ns, 1.5ns 7ns, 1.5ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 - 5 A 5 A

上升时间 4 ns 4 ns 4 ns

下降时间 4 ns 4 ns 4 ns

下降时间(Max) 4 ns 4 ns 4 ns

上升时间(Max) 4 ns 4 ns 4 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) 4.50V (min) - -

针脚数 10 - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

封装 WDFN-10 DSBGA-12 WSON-10

长度 4 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 0.8 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99