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LM5113TMX/NOPB

LM5113TMX/NOPB

TI(德州仪器) 主动器件

LM5113 5A , 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 12-µSMD(1.74x1.87)


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12USMD


贸泽:
Gate Drivers 5A 100V Half-Brdg Gate Dvr


艾睿:
Driver 5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 12-Pin DSBGA T/R


安富利:
MOSFET DRVR 5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 12-Pin DS-BGA T/R


Verical:
Driver 5A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 12-Pin DSBGA T/R


LM5113TMX/NOPB中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 7ns, 1.5ns

输出接口数 2

输出电流 5 A

上升时间 4 ns

下降时间 4 ns

下降时间Max 4 ns

上升时间Max 4 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 DSBGA-12

外形尺寸

封装 DSBGA-12

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

LM5113TMX/NOPB引脚图与封装图
LM5113TMX/NOPB引脚图

LM5113TMX/NOPB引脚图

LM5113TMX/NOPB封装图

LM5113TMX/NOPB封装图

LM5113TMX/NOPB封装焊盘图

LM5113TMX/NOPB封装焊盘图

在线购买LM5113TMX/NOPB
型号 制造商 描述 购买
LM5113TMX/NOPB TI 德州仪器 LM5113 5A , 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs 搜索库存
替代型号LM5113TMX/NOPB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: LM5113TMX/NOPB

品牌: TI 德州仪器

封装: DSBGA-12

当前型号

LM5113 5A , 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs

当前型号

型号: LM5113TME/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: DSBGA 4.5V 12Pin

完全替代

TEXAS INSTRUMENTS  LM5113TME/NOPB  半桥驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, 26.5ns延迟, DSBGA-12

LM5113TMX/NOPB和LM5113TME/NOPB的区别

型号: LM5113SD/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: Surface 4.5V

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  LM5113SD/NOPB  MOSFET驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10 新

LM5113TMX/NOPB和LM5113SD/NOPB的区别

型号: LM5113SDE/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: WSON 4.5V 10Pin

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  LM5113SDE/NOPB  驱动器, MOSFET, 半桥, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10

LM5113TMX/NOPB和LM5113SDE/NOPB的区别