BSC027N04LSGATMA1、SIR470DP-T1-GE3、SIR414DP-T1-GE3对比区别

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型号 BSC027N04LSGATMA1 SIR470DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3

描述 INFINEON  BSC027N04LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V 新VISHAY  SIR470DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 VVISHAY  SIR414DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 PowerPAK SO PowerPAK SO

额定功率 83 W - -

通道数 1 - -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0023 Ω 0.0019 Ω 0.0023 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 83 W 104 W 83 W

阈值电压 2 V 1 V 1 V

输入电容 5100 pF - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V - -

连续漏极电流(Ids) 24A 60.0 A -

上升时间 5.6 ns 31 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 5100pF @20V(Vds) 5660pF @20V(Vds) -

下降时间 6.2 ns 39 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 6250 mW -

长度 5.9 mm - -

宽度 5.15 mm - -

高度 1.27 mm 1.04 mm -

封装 PG-TDSON-8 PowerPAK SO PowerPAK SO

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active - -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -