SIR414DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 22 ns
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR414DP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIR414DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR414DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |