SIR470DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 5660pF @20VVds
下降时间 39 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6250 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR470DP-T1-GE3引脚图与封装图 
SIR470DP-T1-GE3引脚图
在线购买SIR470DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR470DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR470DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号SIR470DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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