IPP030N10N3GXKSA1、IPP04CN10N G、CSD19533KCS对比区别

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型号 IPP030N10N3GXKSA1 IPP04CN10N G CSD19533KCS

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IPP04CN10N G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 3.5 mohm, 10 V, 3 V100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCS

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0026 Ω 0.0035 Ω 0.0087 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 300 W 188 W

阈值电压 2.7 V 3 V 2.8 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 100A - 100A

上升时间 58 ns 78 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 14800pF @50V(Vds) - 2670pF @50V(Vds)

下降时间 28 ns 25 ns 2 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) - 188W (Tc)

额定功率 300 W - -

额定功率(Max) 300 W - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.36 mm 10 mm -

宽度 4.57 mm 4.4 mm -

高度 15.95 mm 15.65 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - 正在供货

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15