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BDV64B、BDW83C、BDV64BG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDV64B BDW83C BDV64BG

描述 互补硅塑料功率达林顿 Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  BDV64BG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-218-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -100 V 100 V -100 V

额定电流 -10.0 A 15.0 A -10.0 A

极性 PNP NPN PNP, P-Channel

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 10A - 10A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 4V 750 @6A, 3V 1000 @5A, 4V

额定功率(Max) 125 W 130 W 125 W

针脚数 - - 3

耗散功率 - 130 W 125 W

直流电流增益(hFE) - 750 1000

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 130000 mW 125000 mW

额定功率 - 150 W -

封装 TO-218-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 15.2 mm

宽度 - - 4.9 mm

高度 - - 12.2 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 30 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99