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BC635RL1G、BC635ZL1G、BC635对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC635RL1G BC635ZL1G BC635

描述 TO-92 NPN 45V 1ATO-92 NPN 45V 1AHigh Current Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -