BC635ZL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC635ZL1G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC635ZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC635ZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 1A | 当前型号 | TO-92 NPN 45V 1A | 当前型号 |
| 型号： BC635RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 1A | 完全替代 | TO-92 NPN 45V 1A | BC635ZL1G和BC635RL1G的区别 |
| 型号： BC635 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | TRANS NPN 45V 1A TO-92 | BC635ZL1G和BC635的区别 |