IPB120N04S3-02、BUK962R1-40E,118、STB100NF04T4对比区别

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型号 IPB120N04S3-02 BUK962R1-40E,118 STB100NF04T4

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorD2PAK N-CH 40V 120ASTMICROELECTRONICS  STB100NF04T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300000 mW 293W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120A 120A 120 A

上升时间 19 ns - 220 ns

输入电容(Ciss) 14300pF @25V(Vds) 13160pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W - 300 W

下降时间 18 ns - 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 293W (Tc) 300000 mW

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0043 Ω

阈值电压 - - 2 V

漏源击穿电压 - - 40.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99