锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BUK962R1-40E,118

BUK962R1-40E,118

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

D2PAK N-CH 40V 120A

N-Channel 40V 120A Tc 293W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
MOS Power Transistors LV < 200V


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK


BUK962R1-40E,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 293W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 13160pF @25VVds

耗散功率Max 293W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BUK962R1-40E,118引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BUK962R1-40E,118
型号 制造商 描述 购买
BUK962R1-40E,118 NXP 恩智浦 D2PAK N-CH 40V 120A 搜索库存
替代型号BUK962R1-40E,118
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BUK962R1-40E,118

品牌: NXP 恩智浦

封装: D2PAK N-CH 40V 120A

当前型号

D2PAK N-CH 40V 120A

当前型号

型号: IPB120N04S3-02

品牌: 英飞凌

封装: TO-263-3 N-CH 40V 120A

功能相似

的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

BUK962R1-40E,118和IPB120N04S3-02的区别