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2N7002,215、TN2106N3-G、BST82,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002,215 TN2106N3-G BST82,215

描述 Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3Pin TO-92NXP  BST82,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Supertex (超科) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

额定功率 - 0.74 W -

漏源极电阻 2.8 Ω 2.50 Ω 5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 0.83 W 740 mW 830 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 100 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 300 mA 300 mA 190 mA

针脚数 3 - 3

阈值电压 2 V - 2 V

输入电容 31 pF - -

正向电压(Max) 1.2 V - -

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) - 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 830 mW - 830 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 830 mW - 830mW (Tc)

通道数 - - 1

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 1 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 8541900000 -