通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 190 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.4 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BST82,215 | NXP 恩智浦 | NXP BST82,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BST82,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-23 N-Channel 100V 190mA | 当前型号 | NXP BST82,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V | 当前型号 | |
型号: BST82 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 N-Channel 190mA | 类似代替 | NXP BST82 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 10 ohm, 5 V, 2 V | BST82,215和BST82的区别 | |
型号: BST82,235 品牌: 恩智浦 封装: TO-236 N-CH 100V 0.19A | 类似代替 | TO-236AB N-CH 100V 0.19A | BST82,215和BST82,235的区别 | |
型号: MMBF170 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 60V 500mA 5ohms 40pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V | BST82,215和MMBF170的区别 |