TN2106N3-G
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Supertex
超科
分立器件
TN2106N3-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.74 W
漏源极电阻 2.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 740 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541900000
TN2106N3-G引脚图与封装图
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在线购买TN2106N3-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TN2106N3-G | Supertex 超科 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3Pin TO-92 | 搜索库存 |
替代型号TN2106N3-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TN2106N3-G 品牌： Supertex 超科 封装： TO-92 N-Channel 300mA 2.5ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3Pin TO-92 | 当前型号 |
| 型号： 2N7002E 品牌： 光宝 封装： | 类似代替 | Small Signal Field-Effect Transistor, | TN2106N3-G和2N7002E的区别 |
| 型号： 2N7002,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | TN2106N3-G和2N7002,215的区别 |
| 型号： BSS123,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装 | TN2106N3-G和BSS123,215的区别 |