BD439G、BD439S、BD439对比区别

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型号 BD439G BD439S BD439

描述 塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN TransistorTrans GP BJT NPN 60V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 3 MHz 3 MHz -

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 36 W 36 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 20 @10mA, 5V 40 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 36000 mW

针脚数 3 - -

增益频宽积 3 MHz - -

直流电流增益(hFE) 20 - -

最大电流放大倍数(hFE) - - 475

高度 11.04 mm 11.2 mm -

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 7.74 mm - -

宽度 2.66 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Box

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -