BD439S
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BD439S中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 5V
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD439S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BD439S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD439S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 60V 4A 36000mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 60V 4A 3Pin3+Tab TO-126 Bulk | 当前型号 |
| 型号： BD439G 品牌： 安森美 封装： TO-225-3 NPN 60V 4A 36000mW | 功能相似 | 塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor | BD439S和BD439G的区别 |
| 型号： BD439LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-126 NPN 60V 4A | BD439S和BD439LEADFREE的区别 |