BUK964R2-60E、SUM110N06-3M4L-E3、SUM110N06-3M9H-E3对比区别

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型号 BUK964R2-60E SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N06-3M9H-E3

描述 NXP  BUK964R2-60E  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 3460 µohm, 5 V, 1.7 VN 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY  SUM110N06-3M9H-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.4 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 TO-263 TO-263 TO-263

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.00346 Ω 0.0028 Ω 0.00325 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 263 W 375 W 375 W

阈值电压 1.7 V 1 V 3.4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

漏源击穿电压 - - 60 V

上升时间 - - 160 ns

输入电容(Ciss) - 12900pF @25V(Vds) 15800pF @25V(Vds)

下降时间 - - 14 ns

耗散功率(Max) - 3.7 W 3750 mW

连续漏极电流(Ids) - 110 A -

封装 TO-263 TO-263 TO-263

长度 - 10.41 mm 10.414 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

宽度 - 9.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown - -

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

含铅标准 - Lead Free -